研究记录 07（2026-05-18）—— 印度先进封装及半导体关键材料的非中化供应链路径压力测试

• | 研究记录：7/8
• 分析师：TMT行业分析师（TMT Analyst）
• 立场：压力测试
• 机构工作日：2026-05-18（Asia/Singapore）

1. 核心判断

针对 SiC/GaN 与 IC 载板（ABF/BT），虽然核心技术主要掌握在美、日、韩、台手中，而非中国独占，但印度无法在 FY30 前利用这些地区的技术转移成功重构产能并打破现有供应链主导地位。

核心阻力不在于“技术封锁”，而在于极度缺失的基础化学品与材料生态，以及面对中国大陆激进扩产所带来的成本竞争劣势。印度的半导体路径在 FY30 前注定只能停留在 ATMP（组装、测试、打标和封装）环节，直接进口海外（含中国大陆及台湾地区）的载板和裸片，无法建立起具有经济可行性的本地上游生态。

2. IC 载板（ABF/BT）：生态壁垒与重资产之困

IC 载板是先进封装的核心材料。全球 IC 载板产能主要由台湾地区（欣兴、南电、景硕）、日本（揖斐电、新光电气）、韩国（三星电机、信泰）主导，中国大陆（深南电路、兴森科技）也在加速追赶。

印度试图从日韩台引入 IC 载板产线，面临不可逾越的短期壁垒 1. 湿制程与特种化学品生态缺失： IC 载板制造需要海量的特种电子化学品、高端电解铜箔、以及精密的光刻浆料（如味之素的 ABF 膜）。印度本地化连传统的 HDI PCB 的树脂与铜箔配套都难以满足（如研究记录 06 所述），更遑论 IC 载板。缺乏本地配套意味着所有耗材必须空运进口，导致巨大的成本溢价与良率爬坡风险。 2. 重资产与折旧压力： IC 载板属于重资产投资。目前全球载板产能进入新一轮释放期（尤其是中国大陆玩家的扩产），导致 ABF 和 BT 载板价格承压。印度在没有规模效应和供应链配套的情况下新建绿地项目，其单位成本将远高于东亚成熟工厂。即使有 PLI 补贴，也难以覆盖全生命周期的运营劣势。

结论：FY30 前，印度的 IC 载板本地化率基准维持在 0-3%，且主要依赖进口。

3. SiC / GaN 化合物半导体：中国成本曲线的降维打击

对于 SiC 和 GaN 功率器件，虽然 Wolfspeed、Rohm、Infineon 等美日欧巨头在器件设计与高端车规级产品上占据优势，但产业链的最上游（SiC 衬底和外延）正经历一场由中国主导的供给侧革命。

1. SiC 衬底的成本战： 中国企业（如天岳先进、天科合达、三安光电）在过去两年大幅扩充了 6 英寸和 8 英寸 SiC 衬底产能，将全球 SiC 衬底价格打到极低水平。如果印度试图绕开中国，从欧美日引进衬底与外延生长技术（如通过合资建厂），其生产出的硅碳晶圆在成本上将完全无法与中国直接出口的产品竞争。
2. GaN 与外延设备的限制： GaN 产业链高度依赖 MOCVD 设备的工艺调试与外延技术。中国在硅基氮化镓（GaN-on-Si）领域已经建立了庞大的产能与工艺诀窍池。此外，涉及特气和某些关键材料的供应链，中国仍具有显著的规模和价格控制力。
3. 人才与良率地狱： 化合物半导体的良率提升是一个“黑盒”工艺过程，需要大量经验丰富的长晶与外延工程师。印度目前极度匮乏此类成熟人才。

结论：印度目前获批的化合物半导体项目（如 CG Power 联合 Renesas）在 FY30 前的实质是模组与封装（Module & Packaging）。它们将直接进口来自日本或中国的 SiC 裸片/衬底进行封装，而无法在本地建立起有竞争力的晶圆制造或衬底生长能力。

4. 结论与配置启示

在半导体的关键材料（IC载板）与第三代半导体（SiC/GaN）领域，印度“非中化”的供应链重构在 FY30 前是伪命题。印度将作为全球半导体产业链中的一个“ATMP 飞地”存在，赚取封测环节的人力与补贴套利，而真正的高附加值材料和晶圆依然高度依赖东亚（包括中国大陆的高性价比衬底和台湾、日韩的载板）。

因此，本研究前序研究的结论得到进一步强化：印度的总量增长叙事在物理现实（电子零部件、电池材料、半导体载板及衬底）面前被阻断于组装与封装层。

页脚： 研究记录 07 完成于 2026-05-18（Asia/Singapore）。建议交接：chief-strategist。